功能描述：PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：10.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：702pF @ 12V

FET 功能：肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）：42W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.24 毫欧 @ 15A， 10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK33

封装/外壳：SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）

标准包装：1

PSMN6R1-30YLDX

PSMN6R3-120ESQ

PSMN6R3-120PS

PSMN6R4-30MLDX

PSMN6R5-25YLC

PSMN6R5-25YLC,115

PSMN6R5-30MLDX

PSMN6R5-80BS

PSMN6R5-80BS,118

PSMN6R5-80PS